特許
J-GLOBAL ID：201103022644446830
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345088
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228526
特許番号：特許第4545260号
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート配線が形成された絶縁表面にゲート絶縁膜と非晶質半導体膜とを順次積層形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に、裏面露光を用いて第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記第1の絶縁膜をパターニングして、チャネル形成領域となるべき領域上に保護膜を形成し、
前記第1のレジストマスクを除去し、
前記結晶質半導体膜の一部と前記保護膜の上に第2のレジストマスクを形成し、
13族または15族に属する不純物元素の添加を前記結晶質半導体膜のソース領域及びドレイン領域となる領域に行い、高濃度不純物領域を選択的に形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記保護膜を覆い、かつ前記結晶質半導体膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜を介して13族または15族に属する不純物元素の添加を前記結晶質半導体膜に行い、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域の間に低濃度不純物領域を形成し、
前記結晶質半導体膜と前記第2の絶縁膜を同時にパターニングし、
前記第2の絶縁膜を覆って第3の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 627 B
