特許

J-GLOBAL ID：201103022747633468

半導体メモリ装置

発明者： 縣 政志
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-280253
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086710
特許番号：特許第3529751号
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1のメタルレイヤーで形成され、任意の電圧にプリチャージされて互いに相補な読み出し信号を伝送する2本の線を1対とする複数対の線を有するリード専用のデータバスと、前記リード専用のデータバスと平行に配置され、前記第1のメタルレイヤーとは異なる第2のメタルレイヤーで形成され、任意の電圧にプリチャージされて互いに相補な書き込み信号を伝送する2本の線を1対とする複数対の線を有するライト専用のデータバスと、を有することを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  G11C 11/409 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

H01L 27/10 681 Z ,  G11C 11/34 353 F ,  G11C 11/34 354 R ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/82 W