特許
J-GLOBAL ID：201103022956954506

半導体記録装置

発明者：
大塚 健

大塚 健 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 田中 光雄 ,  鮫島 睦 ,  川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-110382
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287303
出願日： 2010年05月12日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】複数の多値フラッシュメモリを備えた半導体記録装置において、低消費電力化を図りつつ、できるだけ高速な記録を可能とする。【解決手段】消去ブロックを構成する記録ページを、1st記録ページと、1st記録ページよりも書きこみ時間が長い2nd記録ページとに分類する。フラッシュメモリの制御手段は、複数のフラッシュメモリを2つのグループに分割し、各グループに対して1記録ページずつインターリーブして書きこみ制御を行い、書きこみ対象の記録ページが1st記録ページか2nd記録ページかを判定し、1st記録ページの書きこみと判定した場合は書きこみ開始から第1所定時間T1経過した後に別グループの書きこみを開始し、2nd記録ページの書きこみと判定した場合は、書きこみ開始から第1所定時間T1より長い第2所定時間T2経過した後に別グループの書きこみを開始する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリの制御手段とを備え、 前記フラッシュメモリは、書きこみ時に少なくとも1記録ページ分のデータを待機しておくデータキャッシュを備え、 前記フラッシュメモリは、複数の記録ページを有する消去ブロックを複数有し、 前記記録ページは、第1の記録ページと、書きこみ時間が第1の記録ページよりも長い第2の記録ページとに分類され、 前記フラッシュメモリの制御手段は、 前記複数のフラッシュメモリを少なくとも2つのグループに分割し、 各グループに対して1記録ページずつインターリーブして書きこみ制御を行い、 書きこみ対象の記録ページが前記第1記録ページか第2記録ページかを判定し、 第1記録ページの書きこみと判定した場合は書きこみ開始から第1所定時間経過した後に別グループの書きこみを開始し、第2記録ページの書きこみと判定した場合は書きこみ開始から第1所定時間よりも長い第2所定時間経過した後に別グループの書きこみを開始することを特徴とする半導体記録装置。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G06F 12/06 ,  G06F 12/00
FI (4件)：
G11C17/00 611E ,  G11C17/00 641 ,  G06F12/06 550B ,  G06F12/00 597U
Fターム (21件)：
5B060CA15 ,  5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA02 ,  5B125DB01 ,  5B125DB11 ,  5B125DC03 ,  5B125DD06 ,  5B125DE06 ,  5B125DE12 ,  5B125DE13 ,  5B125DE14 ,  5B125DE17 ,  5B125EA07 ,  5B125EA08 ,  5B125EF10 ,  5B125EK07 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06 ,  5B125FA10
引用特許：
審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM