特許

J-GLOBAL ID：201103023063840290

発光素子

発明者： 田中 明 ,  近藤 且章 ,  松永 徳彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-120387
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249510
出願日： 2010年05月26日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】順方向電圧の増大を抑制しつつ、チップ表面からの光出力を高めることが容易な発光素子を提供する。【解決手段】発光層と、前記発光層の上に設けられた第1導電型層と、前記第1導電型層の上に設けられた第1電極と、前記発光層の下に設けられ、厚さt1(μm)を有する第2導電型層と、前記発光層とは反対の側の前記第2導電型層の面の一部の領域に接触して設けられ、外縁が前記第1電極の外縁から長さx1(μm)だけはみ出した電流ブロック層と、前記第2導電型層とは反対の側の前記電流ブロック層の面と、前記第2導電型層の前記面の前記電流ブロック層とは接触していない領域に接触し、前記発光層からの放出光を反射可能な第2電極と、を備え、前記第1導電型層、前記発光層、及び前記第2導電型層、の厚さの和をt2(μm)とした時、下記式を満たすことを特徴とする発光素子が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層と、 前記発光層の上に設けられた第1導電型層と、 前記第1導電型層の上に設けられた第1電極と、 前記発光層の下に設けられ、厚さt1(μm)を有する第2導電型層と、 前記発光層とは反対の側の前記第2導電型層の面の一部の領域に接触して設けられ、外縁が前記第1電極の外縁から長さx1(μm)だけはみ出した電流ブロック層と、 前記第2導電型層とは反対の側の前記電流ブロック層の面と、前記第2導電型層の前記面の前記電流ブロック層とは接触していない領域に接触し、前記発光層からの放出光を反射可能な第2電極と、 を備え、 前記第1導電型層、前記発光層、及び前記第2導電型層、の厚さの和をt2(μm)とした時、下記式

IPC (2件)：

H01L 33/14 ,  H01L 33/38

FI (2件)：

H01L33/00 150 ,  H01L33/00 210

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15