特許
J-GLOBAL ID：201103023295227811

SiC電界効果トランジスタ

発明者：
中野 佑紀

中野 佑紀 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-293363
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134910
出願日： 2009年12月24日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】良好な耐圧を保持しつつ、オン抵抗の上昇を抑制することができるSiC電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】SiC電界効果トランジスタ1は、N+型ソース領域15とN-型ドリフト領域14とがエピタキシャル層11の表面12(主面)に垂直な縦方向にP型ボディ領域13を介して離間して配置された、縦型MISトランジスタ構造を有する。この縦型MISトランジスタ構造は、エピタキシャル層11の表面12からソース領域15およびボディ領域13を貫通してドリフト領域14に達するソーストレンチ5が形成されている。ソース電極26は、ソーストレンチ5内において、ソース領域15、ボディコンタクト領域16およびドリフト領域14に接し、ドリフト領域14との間に、ボディダイオード32の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SiC半導体層と、 前記SiC半導体層に形成され、第1導電型のソース領域と、前記ソース領域に接する第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域に接する第1導電型のドリフト領域と、ゲート絶縁膜を介して前記ボディ領域に対向し、前記ドリフト領域と前記ソース領域との間に電流を流すために前記ボディ領域にチャネルを形成するためのゲート電極とを有するMISトランジスタ構造とを含み、 前記MISトランジスタ構造は、前記ドリフト領域に接合され、前記ボディ領域と前記ドリフト領域との接合により形成されるボディダイオードの拡散電位よりも低い接合障壁を前記ドリフト領域との接合により形成する障壁形成層を含む、SiC電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/04
FI (5件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 657A
引用特許：
審査官引用 (17件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-420383   出願人：日産自動車株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-094689   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平3-163832
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