半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-212281
公開番号（公開出願番号）：特開平3-076154
特許番号：特許第2881833号
出願日： 1989年08月18日
公開日（公表日）： 1991年04月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】二重拡散型ドレインを有するシリコンゲートCMOSトランジスタとバイポーラトランジスタとを同一の半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、NチャンネルMOSトランジスタのソースおよびドレイン並びにエミッタの形成予定領域に高濃度のN型不純物を拡散して高濃度N型拡散層を形成する工程と、ベース形成予定領域に前記高濃度N型拡散層より低濃度かつ接合の深さが前記高濃度N型拡散層より深いP型拡散層を形成する工程と、前記NチャンネルMOSトランジスタの前記ソースおよび前記ドレイン並びに前記エミッタの前記形成予定領域に前記P型拡散層より低濃度かつ接合の深さが前記P型拡散層より深いN型拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8249 , H01L 21/331 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/06 321 A , H01L 29/72 , H01L 27/06 101 U

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