特許

J-GLOBAL ID：201103023537139319

無電解金属めっき法及び回路化構造体

発明者： デービッド・ジョン・ラッセル ,  ジェラルド・ウォールター・ジョーンズ ,  ヘイケ・マルセロ ,  ヴォヤ・リスタ・マルコヴッチ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 間山 進也 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034874
公開番号（公開出願番号）：特開平11-315384
特許番号：特許第3080366号
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】a.エピクロルヒドリンとビスフェノールAの縮合物である分子量40,000〜130,000のフェノキシポリオール樹脂10〜80%、分子量4,000〜10,000のエポキシ化多官能性ビスフェノールA-ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂20〜90%、分子量600〜2,500のビスフェノールAのジグリシジルエーテル35〜50%、および全樹脂の0.1〜15重量部のカチオン性光開始剤を含むエポキシ樹脂系を含む未硬化の光結像可能な誘電性永久めっきレジストを提供するステップと、b.基板にシードを施すステップと、c.前記基板に前記永久めっきレジストを塗布するステップと、d.前記永久めっきレジストを光結像して前記永久めっきレジストに開口を形成するステップと、e.前記永久めっきレジストの前記開口中に金属を無電解めっきして、金属が前記シード上にめっきされるステップとを含む無電解めっき方法。

IPC (3件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/18

FI (4件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 Z ,  H05K 3/18 D ,  H05K 3/18 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-106191
  
• 特開平4-318993
  
• 特開平2-279718