特許

J-GLOBAL ID：201103023560356165

半導体装置の製造方法

発明者： 松田 順一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-127313
公開番号（公開出願番号）：特開平2-305443
特許番号：特許第2578662号
出願日： 1989年05月19日
公開日（公表日）： 1990年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一導電型の半導体基板(1)の表面に第1の逆導電型不純物層(4)を形成し、該第1の逆導電型不純物層(4)直下に半導体基板の不純物濃度よりも高い濃度の第1の一導電型不純物層(3)を形成する工程と、ゲート絶縁膜(5)およびゲート電極(7)を形成した後に、該ゲート電極をマスクとして一導電型および逆導電型の不純物を注入し、前記ゲート電極端に隣接するように第2の一導電型不純物層(9)と該第2の一導電型不純物層(9)より半導体基板(1)の表面から浅い位置に第2の逆導電型不純物層(10)を形成する工程と、前記ゲート電極(7)の両側にサイドウォール絶縁膜(13)を形成した後に該ゲート電極(7)およびサイドウォール絶縁膜(13)をマスクとして、基板(1)内に2種類の逆導電型不純物を注入し、ソース・ドレイン電極コンタクト用の高濃度の第4の逆導電型不純物層(12)と該第4の逆導電型不純物層(12)よりも深い位置で、該第4の逆導電型不純物層(12)よりも低い濃度の第3の逆導電型不純物層(11)を形成し且つ前記第1の一導電型不純物層(3)および第2の一導電型不純物層(9)より前記第3の逆導電型不純物層(11)を深く形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-155565
  
• 特開昭63-302566