特許

J-GLOBAL ID：201103023618842529

容量絶縁膜の形成方法

発明者： 神山 聡 ,  善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-161688
公開番号（公開出願番号）：特開平3-027565
特許番号：特許第2518406号
出願日： 1989年06月23日
公開日（公表日）： 1991年02月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置に構成される容量の一部を構成する容量絶縁膜を、フッ化タンタルガスと酸素を用いた化学気相成長法により酸化タンタル膜を形成する工程と、この酸化タンタル膜を酸化処理及び窒化処理する工程とを含むことを特徴とする容量絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 651 7735-4M