半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-150253
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009382
出願日： 2009年06月24日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】外部発光効率の向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に配置され、ナノサイズ加工された加工層18と、加工層18に挟まれた基板10および加工層18上に配置され,n型不純物をドープされたn型半導体層12と、n型半導体層12上に配置された活性層13と、活性層13上に配置され,p型不純物をドープされたp型半導体層14とを備える半導体発光素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置され、ナノサイズ加工された第1加工層と、前記第1加工層に挟まれた前記基板および前記第1加工層上に配置され,n型不純物をドープされたn型半導体層と、前記n型半導体層上に配置された活性層と、前記活性層上に配置され、p型不純物をドープされたp型半導体層とを備えることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA19 , 5F041DA43

引用特許：

審査官引用 (11件)

発光装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-221612 出願人：国立大学法人徳島大学, SCIVAX株式会社, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
窒化物系半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-131928 出願人：三星電機株式会社
光取り出し効率及び放熱効果が改善された半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-090088 出願人：学校法人東京理科大学

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