特許

J-GLOBAL ID：201103023958728275

成形材料、成形体、及びその製造方法、並びに電気電子機器用筐体

発明者： 澤井 大輔 ,  芳谷 俊英 ,  上平 茂生
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-295104
公開番号（公開出願番号）：特開2011-132466
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】高い剛性(曲げ弾性率)、良好な曲げ強度、及び高い熱変形温度といった性能と、さらに良好な耐衝撃性(シャルピー衝撃強度)、優れた成形加工性、寸法安定性、導電性及び熱伝導性とを有する成形材料及び成形体を提供する。【解決手段】 セルロースに含まれる水酸基の水素原子が、 下記A)で置換された基を少なくとも1つ、及び 下記B)で置換された基を少なくとも1つ含むセルロース誘導体と、 アスペクト比10以上かつ直径15μm以下の炭素材料とを含有する成形材料であり、該成形材料を加熱成形して得られる成形体の体積抵抗率が3×108Ω・cm以下である成形材料。 A)炭化水素基:-RA B)アシル基:-CO-RB(RBは炭化水素基を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

セルロースに含まれる水酸基の水素原子が、 下記A)で置換された基を少なくとも1つ、及び 下記B)で置換された基を少なくとも1つ含むセルロース誘導体と、 アスペクト比10以上かつ直径15μm以下の炭素材料とを含有する成形材料であり、該成形材料を加熱成形して得られる成形体の体積抵抗率が3×108Ω・cm以下である成形材料。 A)炭化水素基:-RA B)アシル基:-CO-RB(RBは炭化水素基を表す。)

IPC (2件)：

C08L 1/08 ,  C08K 7/00

FI (2件)：

C08L1/08 ,  C08K7/00

Fターム (7件)：

4J002AB011 ,  4J002DA016 ,  4J002FA006 ,  4J002FD016 ,  4J002FD020 ,  4J002FD130 ,  4J002GQ00