半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭58-040920
公開番号（公開出願番号）：特開昭58-169955
出願日： 1977年03月19日
公開日（公表日）： 1983年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電形高不純物密度の第1の主電極領域(11、12)と、前記第1の主電極領域の上部に形成された第1導電形低不純物密度の第1のチャンネル領域(113)と、前記第1のチャンネル領域の上部に形成された第1導電形で前記第1のチャンネル領域よりも高不純物密度の第2のチャンネル領域(13)と、前記第2のチャンネル領域の内部に形成された第2導電形高不純物密度のゲート領域(14)と、前記第2のチャンネル領域の上部の一部に形成された第1導電形高不純物密度の第2の主電極領域(12、11)とから構成される静電誘導トランジスタを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/06 , H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 27/06 101 S 7210-4M , H01L 29/80 S 7376-4M

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭52-128082
特開昭53-116084

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