特許
J-GLOBAL ID：201103024199654764

マスク材組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池

発明者：
高橋 元樹

高橋 元樹 について

, 
森田 敏郎

森田 敏郎 について

, 
平井 隆昭

平井 隆昭 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (2件)： 森下 賢樹 ,  青木 武司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-237107
公開番号（公開出願番号）：特開2011-116953
出願日： 2010年10月22日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。【解決手段】マスク材組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、下記式(a1)で表される構成単位を含むシロキサン樹脂(A1)を含有する。【化1】式(a1)中、R1は、単結合または炭素数1〜5のアルキレン基であり、R2は、炭素数6〜20のアリール基である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、 下記式(a1)で表される構成単位を含むシロキサン樹脂(A1)を含有することを特徴とするマスク材組成物。
IPC (3件)：
C08L 83/04 ,  H01L 31/04 ,  C08G 77/04
FI (3件)：
C08L83/04 ,  H01L31/04 L ,  C08G77/04
Fターム (28件)：
4J002CP031 ,  4J002CP051 ,  4J002ED026 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA05 ,  4J246AA03 ,  4J246AB07 ,  4J246BA12X ,  4J246BA120 ,  4J246BB02X ,  4J246BB122 ,  4J246CA40X ,  4J246CA55X ,  4J246CA56X ,  4J246GA01 ,  4J246GA11 ,  4J246GB04 ,  4J246GC06 ,  4J246GC52 ,  4J246GD08 ,  4J246GD09 ,  4J246HA66 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151CB30 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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