特許

J-GLOBAL ID：201103024321456200

サファイアウェーハの分割方法

発明者： 星野 仁志
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-116644
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243874
出願日： 2010年05月20日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。【解決手段】サファイアウェーハ1の裏面側から分割予定ライン11に沿って反射膜30が吸収する波長のパルスレーザを集光して照射し、反射膜30の厚みよりも深い溝33を分割予定ライン11上に形成し、その後、溝33によってサファイア面が露出した分割予定ライン11に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザL2をサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、内部に改質層34を形成し、改質層34に外力を加えることによってサファイアウェーハ1を分割予定ライン11に沿って分割する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面の分割予定ラインによって区画された領域に光デバイスが複数形成され、裏面に該発光デバイスの発する光を反射する反射膜が積層されたサファイアウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するサファイアウェーハの分割方法であって、 該サファイアウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って該反射膜が吸収する波長のパルスレーザを集光して照射し、該反射膜の厚みよりも深い溝を該分割予定ライン上に形成するアブレ-ション加工工程と、 該アブレ-ション加工工程の後に、該溝によってサファイア面が露出した該分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザを該サファイアウェーハの内部に集光して照射し、該サファイアウェーハの内部に該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、 該改質層形成工程の後に、該改質層に外力を加えることによって該サファイアウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、 を含むことを特徴とするサファイアウェーハの分割方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/40 ,  B28D 5/00

FI (8件)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 V ,  B23K26/00 H ,  B23K26/06 A ,  B23K26/00 D ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 Z

Fターム (13件)：

3C069AA02 ,  3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CA11 ,  4E068CD01 ,  4E068DA09 ,  4E068DB11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76