特許
J-GLOBAL ID：201103024377503996
メモリLSI不良解析装置及びシステム、方法並びに記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321333
特許番号：特許第3319433号
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 解析対象であるメモリLSIに対して電気的な試験を行うメモリLSI不良解析装置であって、前記メモリLSIの試験結果について2つの不良データ間のアドレス差を算出するアドレス差算出手段と、前記アドレス差をもとにアドレス差のヒストグラムを作成するアドレス差ヒストグラム作成手段と、前記アドレス差ヒストグラムをもとに因数に対する期待値関数を算出する期待値関数算出手段と、前記期待値関数より不良ビットの分布の規則性を判定する不良分布判定手段とを含むことを特徴とするメモリLSI不良解析装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 A
, G01R 31/28 B
