特許
J-GLOBAL ID：201103024507085792
電荷転送装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-247832
公開番号（公開出願番号）：特開平3-109742
特許番号：特許第2867469号
出願日： 1989年09月22日
公開日（公表日）： 1991年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に酸化膜を介して形成された第1層目の配線層をパターニングして形成された転送電極以外のゲート電極と、そのゲート電極上及び上記酸化膜上に積層して形成された窒化膜及び酸化膜と、上記窒化膜及び酸化膜上に形成された第2層目の配線層をパターニングして形成された第1の転送電極と、上記第2の配線層上に形成された第3層目の配線層をパターニングして形成された第2の転送電極とを有する電荷転送装置。
IPC (2件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
