アナターゼ型酸化チタン薄膜製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：石島茂男 , 阿部英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348244
公開番号（公開出願番号）：特開2001-164364
特許番号：特許第4463356号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空槽内に成膜対象物を配置し、スパッタリングガスのプラズマを生成して酸化チタンターゲットをスパッタリングし、前記成膜対象物表面に酸化チタン薄膜を成長させる酸化チタン薄膜の製造方法であって、前記スパッタリングにより、前記成膜対象物表面にルチル型の酸化チタン薄膜を形成した後、その表面にレーザー光線を照射し、ルチル型の前記酸化チタン薄膜をアナターゼ型に変換する酸化チタン薄膜製造方法。

IPC (3件)：