特許

J-GLOBAL ID：201103024701337700

半導体装置作製方法

発明者： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  張 宏勇 ,  山口 直明 ,  鈴木 敦則
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317553
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150383
特許番号：特許第3545289号
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁表面上に非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記珪素膜を結晶化を助長する物質を伴って結晶化させる工程と、前記結晶化させる工程の後に、該珪素膜を大気圧より高い圧力の雰囲気中で酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を形成する工程の後に、前記酸化膜にアンモニア雰囲気中で赤外光を照射して窒化処理を行う工程と、を有し、前記アンモニア雰囲気にはHClが混入されていることを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-276616
  
• 特開平2-140915
  
• 特開平2-222546
  
• 特開平4-022120