特許
J-GLOBAL ID：201103024771796915
BiCMOS装置製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-011014
公開番号（公開出願番号）：特開平2-007462
出願日： 1989年01月21日
公開日（公表日）： 1990年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】BiCMOS装置製造方法において、本方法がNPN垂直トランジスタのコレクタとしてNウエルを形成するステップを有しており、且つ少なくとも1個の分離型垂直PNPトランジスタを形成する場合に、前記NPN垂直トランジスタのコレクタを形成するステップの間に前記PNPトランジスタを包含するNウエルを形成し、前記PNPトランジスタのNベースを形成するためにN型物質を注入し、単一イオン化物質の場合には300KeV以上であって二重イオン化物質の場合には150KeV以上のエネルギでP型物質を注入して前記PNPトランジスタのコレクタを形成し、前記PNPトランジスタのエミッタとしてP領域を形成する、ことを特徴とするBiCMOS装置製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
