特許

J-GLOBAL ID：201103024936193552

バイポ-ラトランジスタを有する半導体装置の製造方法

発明者： 百瀬 寿代
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-002460
公開番号（公開出願番号）：特開平2-181933
特許番号：特許第2504553号
出願日： 1989年01月09日
公開日（公表日）： 1990年07月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型不純物のコレクタ領域の表面に第2導電型不純物のベース領域を形成し、そのベース領域の表面に第1導電型不純物による高濃度領域部と低濃度領域部の2つの部分から構成されるエミッタ領域を形成することによりバイポーラトランジスタを構成するバイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、前記ベース領域の表面に第1の開孔を有する第1の覆膜を形成し、その第1の開孔から前記ベース領域に前記エミッタ領域における前記低濃度領域部を形成するための第1導電型不純物をイオン注入により低濃度状態に導入し、前記ベース領域の表面における前記第1の開孔があった位置とほぼ同じ位置に、前記第1の開孔よりも小さく、且つ位置的にかつてあった前記第1の開孔内に含まれる、第2の開孔を有する第2の覆膜を形成し、少なくとも前記第2の開孔内の前記ベース領域表面に予め第1導電型不純物を含む拡散用の膜を堆積し、この後に、熱処理を施すことにより、前記低濃度状態に導入した前記第1導電型不純物を拡散させると共に、前記拡散用の膜から前記第2の開孔を介して前記エミッタ領域における前記高濃度領域部を形成するための第1導電型不純物を前記ベース領域に高濃度状態に拡散させて、前記ベース領域の表面部分に、エミッタ領域を前記高濃度領域部と低濃度領域部の2つの領域によって構成し、前記高濃度領域部はブロック状に構成され、前記低濃度領域部は、前記高濃度領域部と前記ベース領域部との界面を囲繞した状態で前記ベース領域の表面に形成されるようにすることを特徴とするバイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (1件)：

H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-272567
  
• 特開昭62-272567
  
• 特開昭62-045065
  
• 特開昭63-080567