特許
J-GLOBAL ID：201103025028853587

半導体ウェハの研磨方法

発明者：
ユルゲン シュヴァントナー

ユルゲン シュヴァントナー について


出願人/特許権者：
ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト

ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (7件)： 久野 琢也 ,  矢野 敏雄 ,  高橋 佳大 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  篠 良一 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-218895
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077525
出願日： 2010年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】アルカリ性緩衝液が、半導体ウェハの金属性汚染の原因になることを回避する。【解決手段】研磨パッド中に結合された砥粒物質を含有する研磨パッドを使用し、且つアルカリ性研磨剤の供給下で半導体ウェハを研磨する方法に関し、その際、該研磨剤の体積流量が5リットル/分以上であり、且つ該研磨剤を、研磨中に研磨剤循環路内で循環させる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
研磨パッド中に結合された砥粒物質を含有する研磨パッドを使用し、且つアルカリ性研磨剤の供給下で半導体ウェハを研磨する方法であって、その際、前記研磨剤の体積流量が5リットル/分以上であり、且つ前記研磨剤を、研磨中に研磨剤循環路内で循環させる、半導体ウェハの研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00
FI (7件)：
H01L21/304 622E ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622F ,  B24B37/00 K ,  B24B37/00 H ,  B24B37/00 C ,  H01L21/304 622C
Fターム (30件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058CA05 ,  3C058CB06 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  3C058DA18 ,  5F057AA21 ,  5F057AA24 ,  5F057AA28 ,  5F057BA11 ,  5F057BB03 ,  5F057CA11 ,  5F057CA19 ,  5F057DA03 ,  5F057EA03 ,  5F057EA07 ,  5F057EA08 ,  5F057EA09 ,  5F057EA16 ,  5F057EA26 ,  5F057EA29 ,  5F057EA33 ,  5F057EB08 ,  5F057EB10 ,  5F057FA43 ,  5F057GA07
引用特許：
審査官引用 (11件)
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