半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064168
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260979
特許番号：特許第3417866号
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された金属酸化膜からなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記ゲート絶縁膜とSi基板間に形成されたシリコン酸化膜が、前記ゲート絶縁膜の中央部よりも端部において薄くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：