特許
J-GLOBAL ID：201103025134004793
パワー半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-051831
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187711
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】基板の厚み変更に容易に対応できるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー半導体モジュール1のケース2の底面2B側に設けた凹部3の周縁に沿って、複数の基板取り付け面4A,4Bを階段状に形成する。仕様変更や設計変更により基板の厚みを変える場合には、変更後の厚みに対応する基板取り付け面に取り付けられるように、その基板取り付け面に応じたサイズで基板5A,5Bを作成する。また、各基板取り付け面の取り付け位置は、底面からの深さが内側ほど深くなるように形成する。これにより、基板取り付け面4A(4B)に取り付けた基板5A(5B)の非実装面と、ケースの底面2Bと、を同じ高さにすることができ、ヒートシンクにセラミックス基板を密着させて、効率良く放熱することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
底面に凹部が設けられた筐体と、
電子部品が実装される実装面と電子部品が実装されない非実装面とを備え、前記非実装面を前記底面側に向けて、前記凹部に取り付けられた基板と、
を備えたパワー半導体モジュールにおいて、
前記凹部は、その周縁に沿って階段状に形成された複数の基板取り付け面を備え、
前記基板は、前記複数の基板取り付け面のいずれかに取り付けたときに、前記非実装面と前記筐体の底面とが同じ高さになるように、前記基板取り付け面に応じたサイズで作成されたパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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