特許
J-GLOBAL ID：201103025198648546
立方晶窒化ホウ素薄膜の成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 正俊
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296483
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105624
特許番号：特許第3456964号
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 排気手段によって内部が排気されている真空槽と、この真空槽内の中心部に配置されていて蒸発材料が充填されている坩堝と電子銃とを備えた蒸発源と、この蒸発源を中心にしてその周囲を上下方向に回転するように自公転手段を備えた円盤状プレートの外周部分に等間隔に取り付けられていて基板を支持する多数の基板ホルダーと、上記蒸発源の上方で、且つ上記蒸発源と円盤状プレートに取り付けた多数の基板ホルダーとの間で、所要間隔を有して左右対照の位置に傾斜させて配置した永久磁石を内蔵している一対の磁極と、上記一対の磁極のそれぞれの背面に取り付けた直方体形状のヨークと、上記所要間隔を有する一対の磁極の間で磁極と同一平面内に配置される熱電子放出用カソードおよびこれと対向するアノードと、上記蒸発源の下方に設けた基板加熱のためのヒーターと、を具備していることを特徴とする立方晶窒化ホウ素薄膜の成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 14/32
, C23C 14/06
, B23B 27/14
, B23P 15/28
C23C 14/32 B
, C23C 14/06 J
, B23B 27/14 A
, B23P 15/28 A
