特許
J-GLOBAL ID：201103025329677903
プラズマプロセス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉岡 宏嗣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332541
特許番号：特許第3728593号
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 放電ガスが導入されプラズマが生成されるプラズマ生成室と、該プラズマ生成室に磁場を発生する磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を導入する導波管とを備え、前記マイクロ波と磁場との共鳴作用により前記プラズマ生成室内に生成するプラズマを用いて、該プラズマ生成室内に設置された試料の処理を行うプラズマプロセス装置において、 前記導波管内に筒状の金属製導体を該導波管と同軸状に設置するとともに、前記マイクロ波のモードを直線偏波モードから同軸TEMモードに変換する同軸導波管変換器を前記金属製導体の入口側端部に設け、前記同軸導波管変換器の入力端を前記直線偏波モードのマイクロ波を伝送する矩形導波管に接続し、前記同軸導波管変換器の出力端を前記導波管に接続するとともに同軸出力の内導体を前記金属製導体の一端に接続してなることを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, B01J 19/08
, C23C 16/511
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H01L 21/31 C
, B01J 19/08 H
, C23C 16/511
, H05H 1/46 C
, H01L 21/302 D
