特許

J-GLOBAL ID：201103025334713004

セラミック配線基板の製造方法

発明者： 永江 謙一 ,  木村 哲也 ,  中尾 吉宏 ,  鈴木 晋一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093565
公開番号（公開出願番号）：特開2002-290043
特許番号：特許第4610114号
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 セラミック絶縁層と、該セラミック絶縁層表面および/または内部に配設された配線回路層とを具備するセラミック配線基板の製造方法において、(a)セラミックグリーンシートを作製する工程と、(b)該セラミックグリーンシート表面に、焼成後の前記セラミック絶縁層よりも大きい熱膨張係数を有する金属箔からなる配線回路層を形成する工程と、(c)(a)〜(b)工程を経て作製した、配線回路層を有する複数のグリーンシートを積層し、積層成形体を作製する工程と、(d)前記積層成形体の両面または片面に、難焼結性セラミック材料を主成分とする、前記積層成形体の焼成後の40°C〜400°Cにおける熱膨張係数よりも0〜3×10-6/°C高い熱膨張係数を有する第1の拘束シートを積層する工程と、(e)前記第1の拘束シート上に、難焼結性セラミック材料を主成分とする、前記第1の拘束シートの40°C〜400°Cにおける熱膨張係数よりも1〜3×10-6/°C低い熱膨張係数を有する第2の拘束シートを積層する工程と、(f)前記積層成形体を前記第1および第2の拘束シートとともに、前記配線回路層を形成する導体の融点よりも低い焼成温度で焼成する工程と、(g)前記焼成後に、前記第1および第2の拘束シートを除去する工程と、を具備することを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H01L 23/15 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/14 C