特許

J-GLOBAL ID：201103025452481908

窒化物半導体レーザ素子、およびそれを用いた光ディスク装置ならびに画像表示装置

発明者： 川口 佳伸 ,  神川 剛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-108311
公開番号（公開出願番号）：特開2011-238749
出願日： 2010年05月10日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：

【課題】自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性との両立した窒化物半導体レーザ素子を提供する。を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とn側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、リッジストライプは、共振器の長手方向に並列する、第1のリッジストライプと第2のリッジストライプとからなり、第1のリッジストライプ上に形成された第1のp側電極と第2のリッジストライプ上に形成された第2のp側電極とを有し、第1のp側電極と第2のp側電極とは、互いに電気的に分離されており、第2のp側電極は、該第2のリッジストライプの側面に露出したp型窒化物半導体層に接することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とn側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、 前記リッジストライプは、前記共振器の長手方向に並列する、第1のリッジストライプと第2のリッジストライプとからなり、 前記第1のリッジストライプ上に形成された第1のp側電極と 前記第2のリッジストライプ上に形成された第2のp側電極とを有し、 前記第1のp側電極と前記第2のp側電極とは、互いに電気的に分離されており、 前記第2のp側電極は、該第2のリッジストライプの側面に露出した前記p型窒化物半導体層に接する、窒化物半導体レーザ素子。

IPC (5件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/065 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/22 ,  G11B 7/125

FI (5件)：

H01S5/323 610 ,  H01S5/065 610 ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/22 ,  G11B7/125 A

Fターム (21件)：

5D789AA12 ,  5D789AA22 ,  5D789FA05 ,  5D789FA20 ,  5D789FA22 ,  5D789HA40 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AB73 ,  5F173AB83 ,  5F173AG02 ,  5F173AH22 ,  5F173AK04 ,  5F173AK08 ,  5F173AK21 ,  5F173AL04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP35 ,  5F173AP83 ,  5F173AS03