半導体プロセスガスの供給システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木戸一彦 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306839
特許番号：特許第3289190号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガス容器内に充填されている半導体プロセスガスを減圧して使用先に供給するためのシステムであって、ガス容器及び該ガス容器に装着される減圧機能付き容器弁を備えた容器ユニットと、該容器ユニットのガス出口部に着脱可能に設けられる供給ユニットとを有し、前記減圧機能付き容器弁は、容器取付側の閉止弁と、該閉止弁の下流側に設けられてガス圧力を1MPa以下に減圧する減圧弁と、前記閉止弁の二次側にパージガスを導入するパージガス導入路とをブロック化するとともに、供給ユニット接続側に出口弁を付設したものであり、前記供給ユニットは、半導体プロセスガス使用先配管接続側の供給弁と、容器ユニット接続側から該供給弁に至る間の半導体プロセスガス供給路内のガスを排気するための排気路とを備えたものであることを特徴とする半導体プロセスガスの供給システム。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , F17C 13/00 301

FI (2件)：

H01L 21/205 , F17C 13/00 301 Z

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