特許
J-GLOBAL ID：201103025584730559
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000297
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190798
特許番号：特許第3176016号
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】不揮発性メモリ機能を有するメモリ本体と、電源電圧の大きさに応じて発振周波数が変化する発振回路と、昇圧能力に駆動周波数依存性を有し、前記発振回路の駆動により電源電圧を昇圧して前記メモリ本体の書き込み/消去時に必要な電圧を発生する昇圧回路と、を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記発振回路は、一定の電流を発生する定電流源と、入力信号の反転によって一端が前記定電流源に接続される容量素子と、参照電圧を発生する参照電圧源と、前記容量素子の一端の電圧と前記参照電圧との差を増幅して出力する増幅回路と、を含む遅延回路を具備してなり、前記遅延回路において、入力信号が反転するまでの前記容量素子の一端の電圧と前記参照電圧との差は、電源電圧の増加とともに増加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 632 A
, H03K 3/023 A
