特許

J-GLOBAL ID：201103025585635096

ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

発明者： 能米 雅信
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306718
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115492
特許番号：特許第3652633号
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半絶縁性基板上に、コレクタ層、ベース層、エミッタ層、およびエミッタキャップ層となる各半導体層を順次積層形成する工程と、前記エミッタキャップ層上に、電極層をスパッタ形成する工程と、前記電極層をフォトレジストをマスクとするエッチングによりエミッタパターンとなる形状に形成する工程と、前記エミッタキャップ層を前記エミッタパターンとなる形状に形成された電極層をマスクとしてウエットエッチングにより前記電極層のパターンにひさし部分が生じるようにアンダーカットして前記エミッタ層表面が露出するようパターン形成する工程と、前記電極層の外縁と前記エミッタキャップ層の最上部の外縁とが略一致するように前記電極層の端部を除去する工程と、前記エミッタキャップ層をパターン形成する工程により前記エミッタ層の露出した表面に形成された表面酸化層をイオンミリングにより除去する工程と、前記エミッタ層、ベース層、およびコレクタ層をウエットエッチングして、コレクタ電極が配置される領域を形成する工程とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/72 H ,  H01L 21/306 B