半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井出直孝
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-168729
公開番号（公開出願番号）：特開平3-034489
出願日： 1989年06月30日
公開日（公表日）： 1991年02月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】誘導放出光を発生させる活性層と、この活性層の一方の面に設けられこの活性層に光分布帰還を施す回折格子とを備え、前記回折格子は前記活性層の一方の面に発振波長に相応する周期の凹凸形状として形成され、この一方の面に形成された凹凸形状に接して薄い半導体緩衝層を備えた半導体レーザ装置において、前記緩衝層はその厚さが0.01〜0.5μmの範囲で実質的に一様な厚さに形成され、前記凹凸形状は、前記活性層において利得の変化が最大限に生じるように、前記緩衝層の他面が接する半導体層に印刻された凹凸形状と前記緩衝層を挟みほぼ合同な形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (1件)：

H01S 3/18

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