特許

J-GLOBAL ID：201103025615123893

電圧非直線抵抗体、その製造方法及びバリスタ

発明者： 中村 和敬 ,  鴨志田 幸弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071888
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267106
特許番号：特許第3598935号
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】不純物をドープしたSiC粒子を主成分とする電圧非直線抵抗体において、前記SiC粒子の表面に、酸素元素が100nm以下の距離で拡散し、かつ、Al又はBのうち少なくとも1種の元素が5〜100nmの距離で拡散し、前記SiC粒子の表面から10nm以下の距離に存在するSi元素を1としたとき、Al又はBのうち少なくとも1種の元素が元素比で、0.5〜3で存在すること、を特徴とする電圧非直線抵抗体。

IPC (2件)：

H01C 7/10 ,  C01B 31/36

FI (3件)：

H01C 7/10 ,  C01B 31/36 601 S ,  C01B 31/36 601 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭41-002505
  
• 特公昭31-003077