ひずみ補正QCレーザーを備える物質

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 産形和央 , 臼井伸一 , 藤野育男 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 高梨憲通 , 朝日伸光 , 高橋誠一郎 , 吉澤弘司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014257
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266062
特許番号：特許第3923205号
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】格子定数a0を有する半導体基板の上に配された多層半導体構造を備える量子カスケードレーザからなる装置であって、 a) 該多層半導体構造が、下部閉込め領域と、下部閉込め領域の上に配されたコア領域と、コア領域の上に配された上部閉込め領域とを備える光導波管を形成し、 b) 該コア領域が、複数の名目上同一のリピートユニットを備えており、各リピートユニットが活性領域とキャリア注入領域とを備え、該活性領域が、第1半導体材料と第2半導体材料の層を交互に備える層構造を有するとともに、高キャリアエネルギー状態および低キャリアエネルギー状態を提供するように選択されており、高キャリアエネルギー状態から低キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移の結果、波長λの光子が放出され、該キャリア注入領域が、該活性領域の低キャリアエネルギー状態から、隣接する下流のリピートユニットの活性領域の高キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移を容易にするように選択された層構造を有し、 c) 該量子カスケードレーザは、電流が多層半導体構造の中を流れることを容易にするように選択された接点を備えており、 d)第1半導体材料が格子定数a1>a0を有するように選択され、第2半導体材料が格子定数a2<a0を有するように選択され、さらに該第1半導体材料と該第2半導体材料との間の伝導帯エネルギー不連続性ΔEcが絶対値で520meVを超えるように選択され、 e) 該第1半導体材料と該第2半導体材料及びリピートユニットの層の厚さは、|(δa1/a0)Σt1+(δa2/a0)Σt2|が0.2(δa1/a0)Σt1以下であるように選択され、ここでδa1=a1-a0、δa2=a2-a0、Σt1とΣt2は所定のリピートユニットの第1半導体材料層と第2半導体材料層のそれぞれの厚さの合計であり、縦棒が絶対値を表すことを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01S 5/34 ( 200 6.01) , H01S 3/00 ( 200 6.01) , H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01S 5/34 , H01S 3/00 F , H01S 5/343

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-182550
特開昭63-182550
特開昭63-182550

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