特許
J-GLOBAL ID:201103025757117424

微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-206055
公開番号(公開出願番号):特開2002-023366
特許番号:特許第4273283号
出願日: 2000年07月07日
公開日(公表日): 2002年01月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】複素環式アルコールおよび水溶性高分子化合物を主成分とし、酸の存在により非架橋型の非水溶性化合物を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。
IPC (1件):
G03F 7/40 ( 200 6.01)
FI (1件):
G03F 7/40 511

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