特許
J-GLOBAL ID：201103025831606050
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-138556
公開番号（公開出願番号）：特開平3-003334
特許番号：特許第2809704号
出願日： 1989年05月31日
公開日（公表日）： 1991年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上の金属膜の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、活性化した反応ガスからイオン化したガスを除去した後、残存した反応ガスに前記開口部内の金属膜表面を曝す工程と、次いで、メッキにより前記開口部内に成膜し、前記金属膜と接触するバンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/3205
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 S
, H01L 21/88 K
