半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156173
特許番号：特許第3328249号
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】エネルギービーム照射法により溶断するヒューズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒューズ素子上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上のボンディングパッドと一体になるように形成されたガードリング層が前記ヒューズ素子の周囲に前記層間絶縁膜を介して設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 27/04 A

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