特許

J-GLOBAL ID：201103025941936012

半導体集積回路およびそれを内蔵した高周波モジュール

発明者： 加藤 かおる ,  小屋 茂樹 ,  重野 靖 ,  中島 秋重 ,  小川 貴史
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-057033
公開番号（公開出願番号）：特開2011-193191
出願日： 2010年03月15日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】RF送信出力信号の高調波成分を低減する。【解決手段】半導体集積回路110のアンテナスイッチ100の送信スイッチ104は送信端子102と入出力端子101の間にS・D電流経路が接続されゲート端子Gが送信制御端子108に接続された送信電界効果トランジスタを含み、受信スイッチ105は入出力端子101と受信端子103の間にS・D電流経路が接続されゲート端子Gが受信制御端子109に接続された受信電界効果トランジスタを含む。送信と受信とのnチャネル型MOS電界効果トランジスタは、シリコンオンインシュレータ(SOI)構造で形成される。アンテナスイッチの高調波成分を低減する値に設定された電圧発生回路10の基板電圧は、SOI構造の支持シリコン基板に接続された端子108、109に供給される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

送信スイッチと受信スイッチと送信端子と入出力端子と受信端子と送信制御端子と受信制御端子とを有するアンテナスイッチを具備する半導体集積回路であって、 前記送信スイッチは、前記送信端子と前記入出力端子との間にソース・ドレイン電流経路が接続され、ゲート端子が前記送信制御端子に接続された送信電界効果トランジスタを含み、 前記受信スイッチは、前記入出力端子と前記受信端子との間にソース・ドレイン電流経路が接続され、ゲート端子が前記受信制御端子に接続された受信電界効果トランジスタを含み、 前記送信電界効果トランジスタと前記受信電界効果トランジスタの各トランジスタは、支持基板としてのシリコン基板の表面上に形成された絶縁物の表面上に形成されたシリコンからなるシリコンオンインシュレータ構造で形成されたものであり、 前記半導体集積回路は、前記シリコン基板に供給される基板電圧を生成する電圧発生回路を更に具備して、 前記電圧発生回路から生成される前記基板電圧は、前記支持基板としての前記シリコン基板に供給可能とされたものであり、 前記電圧発生回路から生成される前記基板電圧の電圧レベルは、前記アンテナスイッチの高調波成分を低減する値に設定される ことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H03K 17/00 ,  H04B 1/44 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H03K17/00 E ,  H04B1/44 ,  H01L27/04 F

Fターム (28件)：

5F038BB04 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038DF01 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX21 ,  5J055AX44 ,  5J055BX12 ,  5J055CX03 ,  5J055DX22 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY21 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04 ,  5J055GX06 ,  5K011BA03 ,  5K011DA02 ,  5K011DA21 ,  5K011FA01 ,  5K011JA01 ,  5K011KA02 ,  5K011KA04