特許

J-GLOBAL ID：201103025994163007

半導体集積回路の製造方法

発明者： 高田 忠良 ,  関川 信之 ,  早坂 勝浩
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-186787
公開番号（公開出願番号）：特開平3-050863
出願日： 1989年07月19日
公開日（公表日）： 1991年03月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】形成予定の分離領域の下側の分離領域に対応する部分に一導電型の不純物がドープされた同導電型の半導体基板に逆導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層を熱処理し、前記下側の分離領域の不純物を前記エピタキシャル層の厚みの半分以上を占めるように拡散し、この工程を利用して前記エピタキシャル層に設けられた酸化膜を成長させる、または別途シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を付け直す工程により、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記エピタキシャル層上に形成される前記第1の絶縁膜において、予定のベース領域と予定の上側の分離領域に対応する前記絶縁膜に不純物の導入口を同時に形成する工程と、前記予定の上側の分離領域および前記予定のベース領域の導入口から選択し、予定の上側の分離領域および予定のベース領域に不純物をイオン注入する工程と、前記第1の絶縁膜を全面に渡り除去し、改めて実質全体の膜厚が全面に渡り均一となるように、前記エピタキシャル層上にシリコン酸化膜よりなる第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の一部を除去して、前記エピタキシャル層を露出したコレクタ孔、前記ベース領域を露出したベース孔およびエミッタ孔を形成する工程と、前記エミッタ孔を介して前記ベース領域に不純物を導入し、エミッタ領域を拡散する工程と、前記コレクタ領域、前記ベース領域および前記エミッタ領域とオーミックコンタクトするコレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を前記コレクタ孔、ベース孔およびエミッタ孔を介して形成する工程とを少なくとも備えることを特徴とした半導体集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 101 E ,  H01L 29/72