半導体薄膜の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：前田実 , 山形洋一 , 篠原昌彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-113602
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176363
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。【解決手段】複数の半導体薄膜(20)が基板(11)上にあるときに、複数の半導体薄膜(20)を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分(101)を有する連結支持体(100)を設ける。連結支持体(100)のシート状部分(101)を半導体薄膜(20)の上に設けた後、シート状部分(101)に貫通孔(103)を形成する。貫通孔(103)が、エッチング液を少なくとも基板(11)の面に垂直な方向に通過させる。これにより、複数の半導体薄膜(20)を基板(11)から剥離する。【選択図】図27

請求項（抜粋）：

基板上に形成した複数の半導体薄膜をエッチング液を用いる化学的エッチングによって上記基板から剥離して半導体薄膜を得る半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜が上記基板上にあるときに、上記半導体薄膜上に、上記複数の半導体薄膜を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分を有する連結支持体を設ける工程と、上記連結支持体の上記シート状部分を上記半導体薄膜の上に設けた後、上記シート状部分に貫通孔を形成する工程とを有し、上記貫通孔が、上記エッチング液を少なくとも上記基板の面に垂直な方向に通過させることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 33/30 , H01L 21/308

FI (3件)：

H01L21/306 C , H01L33/00 184 , H01L21/308 C

Fターム (12件)：

5F041AA42 , 5F041CA36 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CB25 , 5F041CB36 , 5F043AA14 , 5F043AA16 , 5F043BB07 , 5F043BB10 , 5F043CC06 , 5F043GG01

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