特許

J-GLOBAL ID：201103026319130929

半導体装置の製造方法

発明者： 下村 浩 ,  亀山 周一 ,  菊池 和也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-266464
公開番号（公開出願番号）：特開平3-127860
特許番号：特許第2890532号
出願日： 1989年10月13日
公開日（公表日）： 1991年05月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コレクタとなる第1導電型の単結晶性の半導体層領域上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコレクタ用の開口を形成する工程と、前記開口が形成された絶縁膜および前記開口上に非単結晶半導体膜を堆積する工程と、前記非単結晶半導体膜をベース形成予定部側へ引き出す形状にパターニングすることによりコレクタ引出し用の非単結晶半導体膜パターンを形成する工程と、前記コレクタ用の開口を通じて第1導電型の不純物を前記半導体層領域中に導入することによりコレクタ電極引出しのための第1導電型の第1の半導体領域を形成する工程と、前記ベース形成予定部側へ引き出された非単結晶半導体膜パターンをマスクにして前記半導体層領域中にベースとなる第2導電型の第2の半導体領域を選択的に形成する工程とを備え、コレクタ電極引出しのための第1の半導体領域とベースとなる第2の半導体領域を離間させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8249 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 321 A ,  H01L 29/72