特許

J-GLOBAL ID：201103026475282755

半導体装置

発明者： 奥野山 輝
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-297983
公開番号（公開出願番号）：特開平3-159159
特許番号：特許第2803054号
出願日： 1989年11月16日
公開日（公表日）： 1991年07月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ペレットの周囲を樹脂封止した半導体装置において、半導体ペレット表面に直接又は他の絶縁層を介して、(A)3,3′,4,4′-ベンゾフェノンテトラカルボン酸(その無水物及び低級アルキルエステルを含む)と、(B)少なくとも90モル%の一般式(1)又は(2)(但し、式中、Xは、CH2、O、SO2、C(CH3)2、C(CF3)2又はSを、R1,R2はCH3、C2H5又は炭素数1〜2のアルコキシ基を、R3,R4は、C2H5を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、それぞれ表し、そしてR1〜R4はいずれもR5に関してアミノ基のオルソ位に置換されている)で示される芳香族ジアミンを含む芳香族または脂肪族ジアミンを反応させた(I)ポリイミド樹脂を100重量部と、(II)アクリル酸エステル若しくはメタクリル酸エステルを含むモノマー又はオリゴマーを20〜70重量部配合してなるポリイミド樹脂組成物の樹脂層を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  C08K 5/10 ,  C08L 79/08 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 23/30 B ,  C08K 5/10 ,  C08L 79/08 A ,  C08L 79/08 B