特許

J-GLOBAL ID：201103026488414227

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 土師 宏 ,  有田 潔 ,  野田 和宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161918
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349124
特許番号：特許第3489489号
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体素子の少なくとも外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記電極形成面上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層に前記電極位置に対応して前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、この貫通孔内に前記電極と導通する導電部を形成する導電部形成工程とを含み、前記貫通孔形成工程においてレーザ照射により前記樹脂層を除去して凹部を形成し、このとき未除去樹脂膜を前記電極の表面に残留させた状態でレーザ光の照射を停止し、次いでこの凹部の底の未除去樹脂膜をプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501

FI (4件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L