特許
J-GLOBAL ID：201103026643226203
SOI型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-230534
公開番号（公開出願番号）：特開平3-095937
特許番号：特許第2509708号
出願日： 1989年09月07日
公開日（公表日）： 1991年04月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板と、この半導体基板上に形成される、凹部を有する絶縁膜と、前記凹部を埋め込むように形成される導電体と、前記導電体及び絶縁膜上に形成される半導体膜と、前記凹部上の前記半導体膜に形成される不純物領域と、前記半導体膜及び不純物領域上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通し、少なくとも前記不純物領域に達するような、前記凹部上に形成されるコンタクトホールと、このコンタクトホールに形成される電極配線とを具備することを特徴とするSOI型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 T 9056-4M
, H01L 29/78 616 J 9056-4M
