特許

J-GLOBAL ID：201103026708582886

半導体装置の作製方法

発明者： 深田 武 ,  坂間 光範 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230725
公開番号（公開出願番号）：特開2000-089204
特許番号：特許第3585779号
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板に窒化アルミニウム膜を形成し、前記ガラス基板をガラスの歪点より高い温度で熱処理した後、窒素を含む雰囲気において徐冷し、前記窒化アルミニウム膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜を熱処理して結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

G02F 1/1333 ,  B05D 7/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/1333 500 ,  B05D 7/00 K ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224490   出願人：株式会社リコー
• 特開昭62-112128
  
• 特開平4-080914