特許

J-GLOBAL ID：201103026810671486

SiC単結晶およびその成長方法

発明者： 塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364593
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181095
特許番号：特許第4253974号
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】SiC単結晶を成長させる方法であって、 {0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面を露出させたSiC単結晶からなる種結晶上に、SiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 23/00 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00