特許

J-GLOBAL ID：201103027045355038

半導体入力保護装置

発明者： 青山 慶三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-133909
公開番号（公開出願番号）：特開平2-312277
特許番号：特許第2557980号
出願日： 1989年05月26日
公開日（公表日）： 1990年12月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ドレインが入力パッド電極に抵抗素子を介さずに接続され、ソースが基準電位に接続されたMISFETを含む半導体入力保護装置であって、前記MISFET(20)のドレイン(D)と被保護半導体素子との間に、当該ドレイン(D)を延在させて当該ドレイン(D)と一体に形成された拡散抵抗(40)が介挿されていると共に、前記MISFET(20)のドレイン(D)及びソース(S)に対する電極コンタクト用の窓が開口され、前記ドレイン(D)に対する電極窓と前記MISFET(20)のゲート電極(G1、G2)との距離(ld)が前記ソース(S1、S2)に対する電極窓と前記MISFET(20)のゲート電極(G1、G2)との距離(ls)よりも大きく設定されていることを特徴とする半導体入力保護装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-128553
  
• 特開昭61-095567
  
• 特開昭61-203680
  
• 特開昭61-044471