特許

J-GLOBAL ID：201103027127915716

半導体装置の作製方法

発明者： 浅見 勇臣 ,  一條 充弘 ,  鳥海 聡志 ,  大槻 高志 ,  三津木 亨 ,  笠原 健司 ,  高野 圭恵 ,  小久保 千穂 ,  山崎 舜平 ,  志知 武司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235632
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124685
特許番号：特許第4646460号
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコンに対するゲルマニウムの組成比が0.1原子%以上10原子%以下である非晶質半導体膜を間欠放電によるプラズマCVD法で形成し、 前記非晶質半導体膜に当該非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素を添加して加熱処理を行い、多結晶構造を有する半導体膜を形成し、 前記多結晶構造を有する半導体膜は、反射電子回折パターン法で検出される格子面の中で{101}面が占める割合が30%以上であり、前記多結晶構造を有する半導体膜でチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G