特許
J-GLOBAL ID：201103027207355940
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-340206
公開番号（公開出願番号）：特開平3-201439
特許番号：特許第2708917号
出願日： 1989年12月28日
公開日（公表日）： 1991年09月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板、該基板上に形成された絶縁膜、該絶縁膜上に形成されたポリ・シリコン層及びその層上に形成された金属・シリコン層で構成され、50μm以下の長さを有し、上記絶縁膜に穿設されたコンタクト・ホールを介して上記基板に電気的に接続された第1の導体部と、上記絶縁膜上に形成され、上記第1の導体部と同一構成からなり、第1の導体部と離隔形成された第2の導体部とこれら第1及び第2の導体部間を電気的に接続し、第1及び第2の導体部とは異なる材料からなる接続用導体部とを有した配線層、上記第1及び第2の導体部上に形成されたスムースコート膜を備えた半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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