特許

J-GLOBAL ID：201103027314395459

浅い接合を有する集積回路の製造プロセス

発明者： ナディア リフシィツ ,  ロナルド ジョセフ シュッツ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-197033
公開番号（公開出願番号）：特開平2-079426
特許番号：特許第3311343号
出願日： 1989年07月31日
公開日（公表日）： 1990年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】デバイス接合を覆う領域を貫く通路を形成することにより基板を処理する段階と、前記領域の少なくとも一部に渡って材料を堆積させて前記接合への電気的接触を形成する段階と、前記デバイスを完成させる段階とからなる半導体デバイスの製造プロセスにおいて、前記通路は少なくとも1.1以上のアスペクト比を有し、前記接合は2500Åより浅い深さを有し、そして前記電気的接触は、1)タングステンの固体状態拡散に対して障壁となる材料の堆積と、2)前記基板と、WF6及び還元剤からなる堆積組成との相互作用によるタングステンの堆積とからなり、前記基板は、前記タングステンの堆積の際に250°C乃至600°Cの堆積温度に加熱され、そして、前記相互作用が自己制約的となり、前記接合深さよりも薄い自己制約厚さを有するよう、前記堆積温度及び環境を制御するものであり、さらに、0.75の開口アスペクト比を有し、アルミニウムのみで形成された電気的接触を有する、前記デバイス接合と同じ接合で得られる歩留まりに比べて、歩留まりが10%以上は減少しないように、前記堆積温度が選択されることを特徴とするプロセス。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 K ,  H01L 29/46 L ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-118068
  
• 特開昭62-118525