特許

J-GLOBAL ID：201103027357860880

pnp型の縦型孤立コレクタトランジスタ

発明者： マルコ シリゴニ ,  フラヴィオ ヴィラ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エス・アール・エル
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-022754
公開番号（公開出願番号）：特開平2-005532
特許番号：特許第2700180号
出願日： 1989年02月02日
公開日（公表日）： 1990年01月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】寄生接合成分の影響を抑えるためのデバイスを組み込んでいるpnp型の縦型孤立コレクタトランジスタであって、該トランジスタは、低濃度の第1の型のドーパントを有する半導体材料の基板と、該基板上に延在し、低濃度の第2の型のドーパントを有する底部ウェル層と、該底部ウェル層の上に横たわっており、高濃度の第1の型のドーパントを有する中間領域と、該中間領域と前記基板とを覆ってトランジスタの表面を形成し、第2の型のドーパントが注入されているエピタキシャル層と、該エピタキシャル層の表面に形成されたエミッタ領域と、該エミッタ領域と構造的に分離され、前記エピタキシャル層の表面に形成されたベース領域と、該ベース領域と前記エミッタ領域とから構造的に分離され、前記エピタキシャル層の表面から深さ方向に延出して前記中間層に入り込んでいるコレクタ領域と、該コレクタ領域と前記底部ウェル層とを取り囲んで配置され、深さ方向には前記エピタキシャル層の表面から前記基板に延出して入り込んでいる孤立ゾーンと、該孤立ゾーンと前記コレクタ領域との間の前記エピタキシャル層内に形成され、前記エピタキシャル層の表面から深さ方向に前記中間領域に延出して入り込んでいるアイランドと、該アイランドと電気的に接続され、前記孤立ゾーンと前記コレクタ領域との間の前記エピタキシャル層の表面に形成され、高濃度の第2の型のドーパントを有するコンタクトアイランドとから構成されていることを特徴とするpnp型の縦型孤立コレクタトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 101 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-016190
  
• 特開昭59-145569